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DS3508
EEPROM이 내장된 I²C, 8채널 Gamma 버퍼

EEPROM이 내장된 저전력, 저가 LCD Gamma 발생기


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제품 설명
DS3508은 채널당 1바이트 온 칩 EEPROM 및 1바이트 SRAM 메모리가 내장된 프로그래밍 가능 8채널 감마 전압 발생기이다. 각각의 채널은 관련된 EEPROM/SRAM 메모리 쌍과 함께 독립적인 8비트 DAC로 구성된다. 파워 업 시 비휘발성 (NV) EEPROM 감마 데이터는 대응하는 SRAM 레지스터에 로드되어 관련된 8비트 DAC를 구동한다. 온 칩 제어 레지스터는 SRAM/EEPROM 또는 SRAM 쓰기를 선택적으로 제어할 수 있다.

DS3508은 저전력 동작을 하도록 설계되어 있어 VDD 전원에서 2mA (일반) 미만을 소비한다. 프로그래밍은 I²C 호환 직렬 인터페이스를 통해 이루어지며 최대 400kHz 속도까지 지원된다.

주요기능   애플리케이션/용도
  • 8비트 감마 DAC, 8채널
  • 채널당 1바이트 EEPROM 및 1바이트 SRAM
  • 초저전력 (2mA IDD, 일반)
  • 400kbps I²C 인터페이스
  • 아날로그 전원: 9.0V ~ 15.5V
  • 디지털 전원: 2.7V ~ 5.5V
  • 20핀 TSSOP 패키지
  • 어드레스 핀으로 공통 I²C 버스에 2개의 DS3508 연결 가능

 
  • 산업용 제어
  • TFT-LCD Gamma 버퍼

    EV 킷
    없음

    디자인 가이드
  • DIGITAL POTENTIOMETERS (PDF)
  • NONVOLATILE MEMORY (PDF)
  • DISPLAYS (PDF)
  • FLAT-PANEL DISPLAY (PDF)

    신뢰성 보고서
  • 신뢰성 보고서: DS3508.pdf

    소프트웨어/모델
    없음

    주문 정보
    참고:

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    패키지: 타입 핀 풋프린트
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    재료 분석
    DS3508E+  
    TSSOP,20 핀,45 mm²
    도면: 56-G2010-000B (PDF)
    패키지 코드/편차 이용: U20+2*
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    DS3508E+T&R  
    TSSOP,20 핀,45 mm²
    도면: 56-G2010-000B (PDF)
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    DS3508E+T&R/C  
    TSSOP,20 핀,45 mm²
    도면: 56-G2010-000B (PDF)
    패키지 코드/편차 이용: U20+2*
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    관련된 제품군
    DS3501 온도 센서와 LUT를 가진 고전압 NV I²C 포텐쇼미터
    DS3502 고전압, NV, I²C 포텐쇼미터

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    2008-03-31
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