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MAX15018, MAX15019
125V/3A, 고속, 하프 브리지 MOSFET 드라이버

방열 효과가 증대된 8핀 SO 패키지로 제공되어 주변 온도 +70°C에서
최대 1.9W의 전력 방출까지 처리 가능


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제품 설명
전체 데이터 시트 (PDF, 308kB)
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MAX15018A/MAX15018B/MAX15019A/MAX15019B 고주파수, 125V 하프 브리지, n채널 MOSFET 드라이버는 고전압 애플리케이션에서 하이 사이드 및 로우 사이드 MOSFET을 구동한다. 이 드라이버는 각각 독립적으로 제어되며, 입력에서 출력까지 35ns (일반) 전파 지연은 2ns (일반) 이내로 정합된다. 드라이버 간 전파 지연 정합과 낮은 지연율로 인해 고전압에서 동작하고 방열 효과가 증대된 패키지에 높은 소스/싱크 전류 성능이 뛰어나 고전력, 고주파수 텔레콤 전력 컨버터에 적합하다. 최대 125V의 입력 전압은 텔레콤 표준의 100V 입력 과도 요구사항에 넉넉한 여유도를 제공한다. 또한 신뢰할 수 있는 온 칩 부트스트랩 다이오드가 VDD와 BST 간에 연결되어 있어 별도의 외장 다이오드가 필요 없다.

MAX15018A/MAX15019A는 모두 비반전형 드라이버를 제공하며, MAX15018B/MAX15019B는 비반전형 하이 사이드 드라이버 및 반전형 로우 사이드 드라이버를 제공한다(전체 데이터 시트의 Selector Guide 참조). MAX15018_는 CMOS (VDD/2) 로직 입력을, MAX15019_는 TTL 로직 입력을 갖는다. 이들 드라이버는 업계 표준 8핀 SO 풋프린트, 그리고 방열 효과가 증대된 8핀 SO 패키지 핀 구성으로 제공된다. 모든 소자는 -40°C ~ +125°C 자동차 온도 범위에서 동작한다.

주요기능   애플리케이션/용도
  • HIP2100IB/HIP2101IB 핀 호환 (MAX15018A/MAX15019A)
  • 최대 125V VIN 동작
  • 8V ~ 12.6V의 VDD 입력 전원 범위
  • 3A 피크 소스 및 싱크 전류
  • 35ns 전파 지연
  • 하이 사이드 및 로우 사이드 드라이버 간에 8ns 이하의 전파 지연 정합 보장
  • 비반전/비반전 및 비반전/반전 로직 입력 버전 모두 이용 가능
  • VDD 전원 전압과 무관하게 최대 15V 로직 입력 가능
  • 8pF의 낮은 입력 커패시턴스
  • CMOS (VDD/2) 또는 히스테리시스 기능이 있는 TTL 로직 레벨 입력으로 사용 가능
  • 방열 효과가 증대된 공간 절약형 8핀 SO-EP 패키지
 
  • 하프 브리지, 풀 브리지, 2-스위치 포워드 컨버터
  • 모터 제어
  • 전원 모듈
  • 동기 벅 DC-DC 컨버터
  • 텔레콤 전원

Key Specifications:  Half Bridge MOSFET Drivers
Part Number Driver Driver High Side Volt.
(V)
VSUPPLY
(V)
ISOURCE / ISINK
(A)
tPD
(ns)
Logic Input Oper. Temp.
(°C)
Package/Pins Smallest Available Pckg.
(mm2)
Price
High Side Low Side typ peak typ max w/pins See Notes
MAX15018A  Non-Inverting Non-Inverting 125 8.0 to 12.6 3 / 3 35 CMOS -40 to +125
SOIC(N)-EP/8
30.9 $1.62 @1k
MAX15018B  Inverting CMOS
SOIC(N)-EP/8
$1.62 @1k
MAX15019A  Non-Inverting TTL
SOIC(N)-EP/8
$1.62 @1k
MAX15019B  Inverting TTL
SOIC(N)-EP/8
$1.62 @1k
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다이어그램
MAX15018, MAX15019: Typical Operating Circuit
일반 동작 회로

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     EV 킷 

    문서 레퍼런스 19-4146; 개정판 1; 2008-08-20
    이 페이지는 최근에 변경됨: 2009-09-04


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