MAX15012/MAX15013 고주파수, 175V 하프 브리지, n채널 MOSFET 드라이버는 고전압 애플리케이션에서 하이 사이드 및 로우 사이드 MOSFET을 구동한다. 이 드라이버는 독립적으로 제어되며, 35ns 기본 전파 지연은 입력에서 출력까지 2ns (일반) 이내에 정합된다. 드라이버 간 전달 지연 정합과 낮은 지연율로 인해 고전압에서 동작하고 높은 소스/싱크 전류 능력이 뛰어나 고전력, 고주파수 텔레콤 전력 컨버터에 적합하다. 또한 신뢰할 수 있는 온 칩 부트스트랩 다이오드가 VDD와 BST 간에 연결되어 있어 별도의 외장 다이오드가 필요 없다.
MAX15012A/C와 MAX15013A/C는 모두 비반전형 드라이버를 제공하며(전체 데이터 시트의 Selector Guide 참조), MAX15012B/D와 MAX15013B/D는 비반전형 하이 사이드 드라이버와 반전형 로우 사이드 드라이버를 제공한다. MAX15012A/B/C/D는 CMOS (VDD/2) 로직 입력을, MAX15013A/B/C/D는 TTL 로직 입력을 갖고 있다. 이 드라이버들은 산업 표준 8핀 SO 풋프린트와 핀 구성 및 방열 효과가 증대된 8핀 SO 패키지로 제공되며, 모든 소자는 -40°C ~ +125°C 자동차 온도 범위에서 동작한다.
주요기능
애플리케이션/용도
HIP2100/HIP2101 핀 호환 (MAX15012A/C와 MAX15013A/C)
입력 동작: 최대 175V
입력 전압 범위: 8V ~ 12.6V VDD
피크 소스 및 싱크 전류 구동 능력: 2A
전파 지연: 35ns (일반)
드라이버 간 8ns의 전파 지연 정합 보증
스위칭 주파수: 최대 500kHz
CMOS (VDD/2) 또는 히스테리시스 기능이 있는 TTL 로직 레벨 입력으로 사용 가능
입력 전압과 무관하게 최대 14V 로직 입력 가능
낮은 입력 커패시턴스: 2.5pF
낮은 소비 전류: 70µA
비반전형/반전형 드라이버의 조합 버전 제공 (MAX15012B/D와 MAX15013B/D)
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