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DS3030W
클록이 내장된 3.3V 단일 칩 256kb 비휘발성 SRAM

DS3030W 3.3V 단일 칩 256k 비휘발성 SRAM (RTC 내장)


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제품 설명
전체 데이터 시트 (PDF, 284kB)
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DS3030W는 스태틱 RAM, 비휘발성(NV) 컨트롤러, 2000년 연도 인식 실시간 클록(RTC), 내장 재충전 가능 망간 리튬(ML) 배터리로 구성된다. 이 부품들은 256볼 BGA 면적의 표면 실장 모듈에 탑재되어 제공된다. VCC가 모듈에 인가될 때마다, 소자는 ML 배터리를 재충전하고, 외부 전원 소스로부터 클록과 SRAM에 전원을 공급하며, 클록 레지스터 또는 SRAM의 내용을 변경하도록 허용한다. VCC가 파워 다운되거나 허용오차를 벗어나면, 컨트롤러는 메모리 내용을 쓰기 방지하고 배터리로부터 클록과 SRAM에 전원을 공급한다. DS3030W에는 사용자 프로그래밍 가능한 인터럽트 출력(IRQ-bar/FT) 및 전원 모니터 출력(RST-bar)이 포함되어 있다.

주요기능   애플리케이션/용도
  • 단일 칩, 리플로우 가능한 27mm x 27mm BGA 패키지 면적
  • 망간 리튬 배터리 및 충전기 내장
  • 실시간 클록 내장
  • VCC가 허용오차를 벗어날 경우 무조건 클록 및 SRAM 쓰기 방지
  • VCC 전원 고장 발생 시 배터리 전원으로 자동 전환
  • 리셋 출력은 CPU 감시기로 사용 가능
  • 인터럽트 출력은 CPU 워치독 타이머로 사용 가능
  • 산업 온도 범위: -40°C ~ +85°C
  • UL® (Underwriters Laboratories) 인증 획득

     
  • 데이터 수집 시스템
  • 화재 경보
  • 게임
  • 산업용 컨트롤러
  • PLC
  • POS 단말기
  • RAID 시스템 및 서버
  • 라우터/스위치

    다이어그램
    DS3030W: Typical Operating Circuit
    일반 동작 회로

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     관련된 제품군 
     참고 사항 
     EV 킷 

    2006-10-12
    이 페이지는 최근에 변경됨: 2008-08-29


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