DS3070W 클록이 내장된 3.3V 단일 칩 16Mb 비휘발성 SRAM

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DS3070W는 스태틱 RAM, 비휘발성 (NV) 컨트롤러, 2000년도 표기 가능 실시간 클록(RTC) 및 충전 가능 망간 리튬 (ML) 내장 배터리로 구성된다. 이 부품들은 256볼 BGA 풋프린트를 가진 표면 실장 모듈에 탑재된다. V_CC가 모듈에 인가될 때마다 이 소자는 ML 배터리를 충전하고 외부 전원으로부터 클록과 SRAM에 전원을 공급하며 클록 레지스터 또는 SRAM의 내용을 수정할 수 있게 한다. V_CC가 파워 다운되거나 허용오차를 벗어나면 컨트롤러는 메모리 내용을 쓰기 방지하고 배터리로부터 클록과 SRAM에 전원을 공급한다. DS3070W는 또한 전원 모니터 출력(RST-bar)과 사용자 프로그래밍 가능 인터럽트 출력(IRQ-bar/FT)을 갖는다.

주요기능

애플리케이션/용도

리플로우 가능한 단일 칩, 27mm x 27mm, BGA 패키지 풋프린트
RTC 내장
ML 배터리 및 충전기 내장
V_CC 허용오차 초과 시 무조건 SRAM 쓰기 방지
V_CC 전원 오류 발생 시 배터리 전원으로 자동 전환
공칭 V_CC (3.3V) 미만의 전원 고장을 검출하는 전원 모니터 내장
마이크로프로세서용 CPU 감시 소자로 리셋 출력 사용 가능
-40°C ~ +85°C의 산업 온도 범위
UL 인증 획득

	데이터 수집 시스템
	화재 경보
	게임
	산업용 컨트롤러
	PLC
	POS 단말기
	RAID 시스템 및 서버
	라우터/스위치

Key Specifications: Memory (EPROM, SRAM, EEPROM, ROM, NV SRAM)

Part Number

Memory Type

Memory Size

Bus Type

Real-Time Clock

DIP with Internal Battery

PowerCap Package

Battery Monitor

With GPIO

Single Piece Module

Features

Supply Voltage (min) (V)

Supply Voltage (max) (V)

RoHS Available

Package

Smallest Available Package (max w/pins) (mm²)

Operating Temp. Range (°C)

Price^**

DS3070W

NV SRAM

2M x 8

Parallel

Yes

•

µP Reset

•	Periodic Interrupt

3.6

Yes

MOD/256

729

-40 to +85

$48.93 @ 1k

See All Memory (EPROM, SRAM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (69)

Key Specifications: Timekeeping & Real-Time Clocks

Part Number

Functions

Time Format (hh = sec/100)

Date Format

Interface

Supply Voltage (V)

Memory Type

Memory Size (Bytes)

Number of Time of Day Alarms