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DS3070W
클록이 내장된 3.3V 단일 칩 16Mb 비휘발성 SRAM

업계 최초의 유일한 단일 칩, 리플로우 가능한 NVSRAM 모듈


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제품 설명
전체 데이터 시트 (PDF, 284kB)
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DS3070W는 스태틱 RAM, 비휘발성 (NV) 컨트롤러, 2000년도 표기 가능 실시간 클록(RTC) 및 충전 가능 망간 리튬 (ML) 내장 배터리로 구성된다. 이 부품들은 256볼 BGA 풋프린트를 가진 표면 실장 모듈에 탑재된다. VCC가 모듈에 인가될 때마다 이 소자는 ML 배터리를 충전하고 외부 전원으로부터 클록과 SRAM에 전원을 공급하며 클록 레지스터 또는 SRAM의 내용을 수정할 수 있게 한다. VCC가 파워 다운되거나 허용오차를 벗어나면 컨트롤러는 메모리 내용을 쓰기 방지하고 배터리로부터 클록과 SRAM에 전원을 공급한다. DS3070W는 또한 전원 모니터 출력(액티브 로우 RST)과 사용자 프로그래밍 가능 인터럽트 출력(액티브 로우 IRQ/FT)을 갖는다.

주요기능   애플리케이션/용도
  • 리플로우 가능한 단일 칩, 27mm x 27mm, BGA 패키지 풋프린트
  • RTC 내장
  • ML 배터리 및 충전기 내장
  • VCC 허용오차 초과 시 무조건 SRAM 쓰기 방지
  • VCC 전원 오류 발생 시 배터리 전원으로 자동 전환
  • 공칭 VCC (3.3V) 미만의 전원 고장을 검출하는 전원 모니터 내장
  • 마이크로프로세서용 CPU 감시 소자로 리셋 출력 사용 가능
  • -40°C ~ +85°C의 산업 온도 범위
  • UL® (Underwriters Laboratories) 인증 획득
 

다이어그램
DS3070W: Typical Operating Circuit
일반 동작 회로

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    2006-10-17
    이 페이지는 최근에 변경됨: 2009-12-10


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