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DS1220Y
16k 비휘발성 SRAM

새로운 설계를 위한 권장 업그레이드
부품번호 대체품 설명
DS1220Y DS1220AD

1) DS1220Y 및 DS1225Y의 쓰기 방지 전압(Vtp)은 내장 분압기 회로(~1.26 x VBat)에 의해 결정된다. 모듈 내 내장 배터리의 질이 저하되면 해당 Vtp의 질도 저하되어 시스템 전원 손실에 대한 모듈의 응답이 변화한다. AB/AD 버전은 배터리와 독립된 정밀 밴드-갭 레퍼런스 전압을 가진다.

2) 배터리로 전원이 공급되는 제품의 보관 및 취급은 새로운 모듈로부터 10년 간의 예상 데이터 유지 능력을 달성하는 데 매우 중요할 수 있다. DS1220Y와 DS1225Y에는 Freshness Seal 회로가 없으며, 이는 10년 보증이 고객이 처음 AB/AD 버전을 사용한 날짜가 아닌 제조일자부터 시작한다는 것을 의미한다.

DS1220Y-120+ DS1220AD
DS1220Y-150+ DS1220AD
DS1220Y-200 DS1220AD
DS1220Y-200IND DS1220AD
DS1220Y-100 DS1220AD
DS1220Y-100IND DS1220AD
DS1220Y-120 DS1220AD
DS1220Y-150 DS1220AD
DS1220Y-200+ DS1220AD
DS1220Y-200IND+ DS1220AD
DS1220Y-100+ DS1220AD
DS1220Y-100IND+ DS1220AD


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데이터 시트
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애플리케이션 노트
  • 애플리케이션 노트 4289: Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM - DS1220Y

    EV 킷
    없음

    신뢰성 보고서
  • 신뢰성 보고서 요청:
  • UL® (Underwriters Laboratories) 인증 획득

    소프트웨어/모델
    없음

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     EV 킷 

    2008-07-28
    이 페이지는 최근에 변경됨: 2008-07-28


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