The DS2227 combines voltage monitoring circuitry with lithium-backed memory in a flexible architecture that can be accessed as 128k x 32, 256k x 16, or 512k x 8 bits.
Using precise comparators, the DS2227 monitors incoming Vcc for an out-or-tolerance condition. When such a condition occurs, the internal lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent data corruption.
While the DS2227 is used like a standard static RAM, it can be flexibly configured by virtue of separate read, write, and chip-select bits for each of the four memory banks.
Dallas' nonvolatile memory chips are known throughout the industry for low-power consumption. They render data nonvolatile for greater than 10 years in the absence of power, greater than the useful like of the associated equipment.
주요기능
Memory with flexible architecture:
128k x 32
256k x 16
512k x 8
NV circuitry transparent to/independent of host
Automatic write protection circuitry
Separate chip-enables for access by byte, word, or long word
필요한 것을 찾지 못하셨나요?
Maxim 애플리케이션 엔지니어에게 문의하십시오. 부품을 찾는데 필요한 전문가의 도움이 보통 업무일 1일 이내에 제공됩니다.
부품번호 suffix: T 또는 T&R = 테잎 앤 릴,
+ = RoHS/lead-free,
# = RoHS/lead 예외.추가 정보: 전체 데이터 시트 또는 부품번호 규칙
*일부 패키지는 크기 편차(variation)를 가지며 이 값은 도면 상에 제시되어 있습니다. “패키지 코드/편차”는 해당 제품이 사용하고 있는 편차를 보여줍니다. 부품번호 suffix에 "+", "#", "-"는 RoHS 준수 상태를 나타냅니다. 패키지 도면에 suffix 문자는 다를 수 있습니다.
다운로드
