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DS2016
2k x 8 3V/5V 동작 스태틱 RAM


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제품 설명
DS2016 2k x 8.3V/5V 동작 스태틱 RAM은 CMOS 기술을 이용하여 2048워드 x 8비트로 구성되는 16,384비트, 저전력 SRAM이다. 이 소자는 2.7V ~ 5.5V 범위 입력 전압을 갖는 단일 전원으로 동작한다. 칩 인에이블 입력(액티브 로우 CE)을 이용하여 소자를 선택하고 최소 대기 전류 모드를 구현하여 배터리 동작 및 배터리 백업 애플리케이션을 지원한다. 이 소자는 5V 전원 입력으로 동작할 때 100ns의 빠른 액세스 시간을 제공하며 3V 입력으로 동작하는 동안에도 250ns의 만족할 만한 성능을 제공한다. 이 소자는 2.7V ~ 5.5V 입력 전압 범위에서 TTL 레벨 입/출력을 유지한다. DS2016은 비휘발성을 위해 배터리 동작이나 배터리 백업이 필요한 저전력 애플리케이션에 가장 적합하다. DS2016은 JEDEC 표준 2k x 8 SRAM으로 유사한 밀도의 ROM 및 EPROM과 핀 호환된다.

주요기능
  • 저전력 CMOS 설계
  • 대기 전류
    • tA = 25°C, VCC = 3.0V에서 최대 50nA
    • tA = 25°C, VCC = 5.5V에서 최대 100nA
    • tA = +60°C, VCC = 5.5V에서 최대 1µA
  • VCC = 5.5V ~ 2.7V에서 완전한 동작
  • 데이터 유지 전압 = 5.5V ~ 2.0V
  • 5V에서 빠른 액세스 시간
    • DS2016-100 100ns
  • 3V 액세스 시간 감소
    • DS2016-100 250ns
  • 동작 온도 범위: -40°C ~ +85°C
  • 풀 스태틱 동작
  • 5.5V ~ 2.7V 전압 범위에서 TTL 호환 입/출력
  • 24핀 DIP 및 24핀 SO 패키지로 제공
  • 배터리 동작 및 배터리 백업 애플리케이션 모두에 적합

신뢰성 보고서
  • 신뢰성 보고서: DS2016.pdf

    소프트웨어/모델
    없음

    주문 정보
    참고:

    1. 부품을 구매하기 위한 기타 옵션 및 링크는 http://korea.maxim-ic.com/sales에 실려 있습니다.
    2. 필요한 것을 찾지 못하셨나요? Maxim 애플리케이션 엔지니어에게 문의하십시오. 부품을 찾는데 필요한 전문가의 도움이 보통 업무일 1일 이내에 제공됩니다.
    3. 부품번호 suffix: T 또는 T&R = 테잎 앤 릴, + = RoHS/lead-free, # = RoHS/lead 예외.추가 정보: 전체 데이터 시트 또는 부품번호 규칙
    4. *일부 패키지는 크기 편차(variation)를 가지며 이 값은 도면 상에 제시되어 있습니다. “패키지 코드/편차”는 해당 제품이 사용하고 있는 편차를 보여줍니다. 부품번호 suffix에 "+", "#", "-"는 RoHS 준수 상태를 나타냅니다. 패키지 도면에 suffix 문자는 다를 수 있습니다.


    소자: 1-7 / 7

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    패키지: 타입 핀 풋프린트
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    2006-05-04
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