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전체 데이터 시트 (PDF, 168kB) English 다운로드 DS2016 2k x 8.3V/5V 동작 스태틱 RAM은 CMOS 기술을 이용하여 2048워드 x 8비트로 구성되는 16,384비트, 저전력 SRAM이다. 이 소자는 2.7V ~ 5.5V 범위 입력 전압을 갖는 단일 전원으로 동작한다. 칩 인에이블 입력(액티브 로우 CE)을 이용하여 소자를 선택하고 최소 대기 전류 모드를 구현하여 배터리 동작 및 배터리 백업 애플리케이션을 지원한다. 이 소자는 5V 전원 입력으로 동작할 때 100ns의 빠른 액세스 시간을 제공하며 3V 입력으로 동작하는 동안에도 250ns의 만족할 만한 성능을 제공한다. 이 소자는 2.7V ~ 5.5V 입력 전압 범위에서 TTL 레벨 입/출력을 유지한다. DS2016은 비휘발성을 위해 배터리 동작이나 배터리 백업이 필요한 저전력 애플리케이션에 가장 적합하다. DS2016은 JEDEC 표준 2k x 8 SRAM으로 유사한 밀도의 ROM 및 EPROM과 핀 호환된다.

주요기능

저전력 CMOS 설계 대기 전류 tA = 25°C, VCC = 3.0V에서 최대 50nA tA = 25°C, VCC = 5.5V에서 최대 100nA tA = +60°C, VCC = 5.5V에서 최대 1µA VCC = 5.5V ~ 2.7V에서 완전한 동작 데이터 유지 전압 = 5.5V ~ 2.0V 5V에서 빠른 액세스 시간 DS2016-100 100ns 3V 액세스 시간 감소 DS2016-100 250ns 동작 온도 범위: -40°C ~ +85°C 풀 스태틱 동작 5.5V ~ 2.7V 전압 범위에서 TTL 호환 입/출력 24핀 DIP 및 24핀 SO 패키지로 제공 배터리 동작 및 배터리 백업 애플리케이션 모두에 적합

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