DS2016 2k x 8 3V/5V 동작 스태틱 RAM은 CMOS 기술을 이용하여 2048워드 x 8비트로 구성된 16,384비트, 저전력의 완벽한 SRAM(static random access memory)이다. 이 소자는 2.7V 에서 5.5V 사이의 전압 입력인 단일 전원으로 동작한다. 칩 인에이블 입력(액티브 로우 CE)은 소자 선택에 사용되고 최소 대기 전류 모드를 구현하기 위해서 사용될 수 있어 배터리 동작이나 배터리 백업 애플리케이션을 용이하게 해준다. 이 소자는 5V 전원 입력으로 동작할 때 최대 100ns의 액세스 시간을, 3V 입력으로 동작할 때는 제법 괜찮은 250ns를 제공한다. 이 소자는 2.7V ~ 5.5V의 입력 전압 범위에 대해 TTL 레벨 입력과 출력을 유지한다. DS2016은 비휘발성을 위한 배터리 백업 또는 배터리로 동작하는 저전력 애플리케이션에 가장 적합하다. DS2016은 JEDEC 표준 2k x 8 SRAM이며 비슷한 사양의 ROM 및 EPROM과 핀 호환 가능하다.
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