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DS1265AB, DS1265Y
8M 비휘발성 SRAM


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제품 설명
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DS1265 8M NV SRAM은 8비트 1,048,576 단어로 구성된 8,388,608비트 완전 정적 비휘발성 SRAM이다. 각각의 NV SRAM은 모든 기능이 갖추어진 리튬 에너지 소스 및 제어 회로를 갖추고 있어 VCC의 허용오차 범위를 벗어나는 조건을 지속적으로 감시한다. 그러한 조건이 발생할 경우, 리튬 에너지 소스는 자동으로 켜지고 무조건 쓰기 방지가 활성화되어 데이터 손상을 방지한다. 실행 가능한 쓰기 횟수의 제한은 없으며 마이크로프로세서 인터페이싱을 위해 추가적인 지원 회로도 필요없다.

주요기능
  • 외부 전원 없이 최소 10년 간 데이터 보유
  • 정전 시 데이터 자동 보호
  • 쓰기 주기 무제한
  • 저전력 CMOS 작동
  • 70ns 속도의 읽기 및 쓰기 액세스 시간
  • 리튬 에너지 소스는 전기적으로 연결이 끊어져 있어 전원이 처음 적용될 때까지 새것으로 유지
  • 전체 ±10% VCC 작동 범위 (DS1265Y)
  • 옵션 ±5% VCC 작동 범위 (DS1265AB)
  • 옵션 산업 온도 범위: -40°C~+85°C, 지정 IND

Key Specifications:   Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Part Number Memory Type Memory Size Bus Type Real-Time Clock DIP with Internal Battery PowerCap Package Battery Monitor With GPIO Single Piece Module Supply Voltage (min) (V) Supply Voltage (max) (V) RoHS Available Package Operating Temp. Range (°C) Price**
DS1265AB  NV SRAM 1M x 8 Parallel No Yes No No No No 4.75 5.25 Yes MOD/36 -40 to +85
0 to +70
$69.55 @ 1k
DS1265Y  4.5 5.5 $69.55 @ 1k
See All Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (69)
Notes:
**This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.

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    2006-09-01
    이 페이지는 최근에 변경됨: 2007-06-18



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