DS1258 128k x 16 비휘발성 SRAM은 16비트 131,072 단어로 구성된 2,097,152비트 완전 정적 비휘발성 SRAM이다. 각각의 NV SRAM은 모든 기능이 갖추어진 리튬 에너지 소스 및 제어 회로를 갖추고 있어 VCC의 허용오차 범위를 벗어나는 조건을 지속적으로 감시한다. 그러한 조건이 발생할 경우, 리튬 에너지 소스는 자동으로 켜지고 무조건 쓰기 방지가 활성화되어 데이터 손상을 방지한다. DIP 패키지 DS1258 장치는 다양한 개별 구성 요소를 이용하여 비휘발성 128k x 16 메모리를 구축하는 솔루션 대신 사용할 수 있다. 실행 가능한 쓰기 횟수의 제한은 없으며 마이크로프로세서 인터페이싱을 위해 추가적인 지원 회로도 필요없다.
주요기능
외부 전원 없이 최소 10년 간 데이터 보유
정전 시 데이터 자동 보호
별도 상위 바이트 및 하위 바이트 칩 선택 입력
쓰기 주기 무제한
저전력 CMOS
70ns 속도의 읽기 및 쓰기 액세스 시간
리튬 에너지 소스는 전기적으로 연결이 끊어져 있어 전원이 처음 적용될 때까지 새것으로 유지
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