QuickView - DS1250AB, DS1250Y 4096k 비휘발성 SRAM


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DS1250AB, DS1250Y 4096k 비휘발성 SRAM

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DS1250 4096k 비휘발성 SRAM은 8비트 524,288 단어로 구성된 4,194,304비트 완전 정적 비휘발성 SRAM이다. 각각의 NV SRAM은 모든 기능이 갖추어진 리튬 에너지 소스 및 제어 회로를 갖추고 있어 V_CC의 허용오차 범위를 벗어나는 조건을 지속적으로 감시한다. 그러한 조건이 발생할 경우, 리튬 에너지 소스는 자동으로 켜지고 무조건 쓰기 방지가 활성화되어 데이터 손상을 방지한다. DIP 패키지 DS1250 장치는 대중적인 32핀 DIP 표준과 직접 호환되는 기존의 512k x 8 정적 RAM 대신 사용할 수 있다. PowerCap Module 패키지에 포함된 DS1250 장치는 직접 표면에 장착되며 일반적으로 DS9034PC PowerCap과 쌍을 이루어 완벽한 비휘발성 SRAM 모듈을 구성한다. 실행 가능한 쓰기 횟수의 제한은 없으며 마이크로프로세서 인터페이싱을 위해 추가적인 지원 회로도 필요없다.

이 제품은 리튬 금속 배터리를 포함하고 있습니다. 여기를 클릭하여 장치 배터리에 적용되는 운송 규제 사항을 확인하십시오.

주요기능

외부 전원 없이 최소 10년 간 데이터 보유
정전 시 데이터 자동 보호
512k x 8 휘발성 정적 RAM, EEPROM 또는 플래시 메모리를 대체
쓰기 주기 무제한
저전력 CMOS
70ns 속도의 읽기 및 쓰기 액세스 시간
리튬 에너지 소스는 전기적으로 연결이 끊어져 있어 전원이 처음 적용될 때까지 새것으로 유지
전체 ±10% V_CC 작동 범위 (DS1250Y)
옵션 ±5% V_CC 작동 범위 (DS1250AB)
옵션 산업 온도 범위: -40°C ~ +85°C, 지정 IND
JEDEC 표준 32핀 DIP 패키지
새로운 PCM (PowerCap Module) 패키지

직접 표면 장착형 모듈
교체 가능한 스냅식 PowerCap은 리튬 백업 배터리를 제공
모든 비휘발성 SRAM 제품에 대한 표준화된 핀 배치
PCM의 분리 기능으로 일반 드라이버를 사용하여 손쉽게 제거 가능

UL® (Underwriters Laboratories) 인증 획득