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전체 데이터 시트 (PDF, 288kB) English 다운로드 DS1230 256k 비휘발성 (NV) SRAM은 32,768워드 x 8비트로 구성된 262,144비트, 풀 스태틱 비휘발성 SRAM이다. 각각의 NV SRAM은 허용오차 초과 조건 검출을 위해 VCC를 지속적으로 모니터링하는 자체 동작 리튬 전원 및 제어 회로를 제공한다. 그러한 조건이 발생하면 리튬 전원은 자동으로 켜지고 쓰기 보호 기능이 무조건 인에이블되어 데이터 손상을 방지한다. DIP 패키지 DS1230 소자는 많이 사용되는 바이트 와이드 28핀 DIP 스탠다드를 준수하며 기존의 32k x 8 스태틱 RAM 대신 사용할 수 있다. DIP 소자는 또한 28256 EEPROM 핀아웃과 일치하여 직접 교체가 가능하고 성능도 향상되었다. 로우 프로파일 모듈 패키지로 제공되는 DS1230 소자는 표면 실장 애플리케이션용으로 특수 설계되었다. 실행 가능한 쓰기 사이클 수에 제한이 없고 마이크로프로세서 인터페이싱을 위해 추가적인 지원 회로도 필요하지 않다.

이 제품은 리튬 금속 배터리를 포함하고 있습니다. 여기를 클릭하여 장치 배터리에 적용되는 운송 규제 사항을 확인하십시오.

주요기능

외부 전력 부재 시 최소 10년간 데이터 보존 전력 손실 시 데이터 자동 보호 32k x 8 휘발성 스태틱 RAM, EEPROM 또는 플래시 메모리 대체 쓰기 사이클 무제한 저전력 CMOS 70ns 정도로 빠른 읽기 및 쓰기 액세스 리튬 전지는 최신 데이터 확보를 위해 최초 전원 공급 시까지 전기적으로 단선 ±10% VCC 전체 동작 범위 (DS1230Y) ±5% VCC 동작 범위 옵션 (DS1230AB) -40°C ~ +85°C 온도 범위 옵션, 지정 IND JEDEC 표준 28핀 DIP 패키지 PowerCap Module (PCM) 패키지 직접 표면 실장 가능 모듈 교체 가능한 스냅 온 PowerCap으로 리튬 백업 배터리 제공 모든 비휘발성 SRAM 제품에 대한 표준 핀아웃 PowerCap의 분리 기능으로 일반 드라이버를 사용하여 간편하게 제거 가능 UL® (Underwriters Laboratories) 인증 획득

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