DS1230 256k NV SRAM은 8비트를 통해 32,768 단어로 구성된 262,144비트 완전 정적 NV SRAM이다. 각 NV SRAM은 자체 보유 리튬 에너지원과 공차 이외의 조건에 대한 VCC를 항상 모니터링하는 제어 회로를 가지고 있다. 이와 같은 조건이 발생할 경우, 리튬 에너지원으로 전환되고, 데이터 손실을 방지하기 위해 쓰기 보호가 무조건적으로 구동된다. DIP 패키지의 DS1230 소자는 대중적인 바이트폭 28핀 DIP 표준과 바로 일치하는 기존 32k x 8 SRAM의 공간에서 사용할 수 있다. DIP 소자는 물론 28256 EEPROM의 핀아웃과도 일치하여, 성능을 강화시키면서 바로 대체가 가능하다. 낮은 프로파일 모듈 패키지 내의 DS1230 소자는 표면 실장 애플리케이션을 위해 특별히 설계되었다. 실행될 수 있는 쓰기 사이클의 수에 대한 제한은 없으며, 마이크로프로세서와 인터페이스하기 위해서 추가적인 지원 회로를 요구하지도 않는다.
주요기능
외부 전력이 없는 상태에서도 최소 10년의 데이터 보유시간 보장
전력 손실시 데이터를 자동적으로 보호한다
32k x 8 휘발성 SRAM, EEPROM 또는 플래시 메모리를 대체한다
무제한적인 쓰기 사이클
저전력 CMOS
70ns의 고속 읽기 및 쓰기 액세스 시간
초기 시간 동안 전력이 인가될 때까지 리튬 에너지원은 신선도를 보장하기 위해 자동적으로 차단된다
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