QuickView - DS1220AB, DS1220AD 16k 비휘발성 SRAM


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DS1220AB, DS1220AD 16k 비휘발성 SRAM

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DS1220AB 및 DS1220AD 16k 비휘발성 (NV) SRAM은 2048워드 x 8비트로 구성된 16,384비트의 풀 스태틱 NV SRAM이다. 각각의 NV SRAM은 허용오차 초과 조건 검출을 위해 V_CC를 지속적으로 모니터링하는 자체 동작 리튬 전원 및 제어 회로를 제공한다. 그러한 조건이 발생하면 리튬 전원은 자동으로 켜지고 쓰기 보호 기능이 무조건 인에이블되어 데이터 손상을 방지한다. NV SRAM은 많이 사용되는 바이트 와이드 24핀 DIP 스탠다드를 준수하며 기존의 2k x 8 SRAM 대신 사용할 수 있다. 이 소자들은 또한 2716 EPROM 및 2816 EEPROM 핀아웃과 일치하여 직접 교체가 가능하고 성능도 향상되었다. 실행 가능한 쓰기 사이클 수에 제한이 없고 마이크로프로세서 인터페이싱을 위해 추가적인 지원 회로도 필요하지 않다.

이 제품은 리튬 금속 배터리를 포함하고 있습니다. 여기를 클릭하여 장치 배터리에 적용되는 운송 규제 사항을 확인하십시오.

주요기능

외부 전력 부재 시 최소 10년간 데이터 보존
전력 손실 시 데이터 자동 보호
2k x 8 휘발성 스태틱 RAM 또는 EEPROM 직접 대체
쓰기 사이클 무제한
저전력 CMOS
JEDEC 표준 24핀 DIP 패키지
100ns 정도로 빠른 읽기 및 쓰기 액세스
리튬 전지는 최신 데이터 확보를 위해 최초 전원 공급 시까지 전기적으로 단선
±10% V_CC 전체 동작 범위 (DS1220AD)
±5% V_CC 동작 범위 옵션 (DS1220AB)
-40°C ~ +85°C 온도 범위 옵션, 지정 IND
UL® (Underwriters Laboratories) 인증 획득