DS1220AB 및 DS1220AD 16k 비휘발성(NV) SRAM은 8비트를 통해 2048 단어로 구성된 16,384비트 완전 정적 NV SRAM이다. 각 NV SRAM은 자체 보유 리튬 에너지원과 공차 이외의 조건에 대한 VCC를 항상 모니터링하는 제어 회로를 가지고 있다. 이와 같은 조건이 발생할 경우, 리튬 에너지원으로 자동 전환되고, 데이터 손실을 방지하기 위해 쓰기 보호가 무조건적으로 구동된다. NV SRAM은 대중적인 바이트폭 24핀 DIP 표준과 바로 일치하는 기존 2k x 8 SRAM의 공간에서 사용할 수 있다. 디바이스는 물론 2716 EEPROM 또는 2816 EEPROM의 핀아웃과도 일치하여, 성능을 강화시키면서 바로 대체가 가능하다. 실행될 수 있는 쓰기 사이클의 수에 대한 제한은 없으며, 마이크로프로세서와 인터페이스하기 위해서도 추가적인 지원 회로를 요구하지도 않는다.
주요기능
외부 전력이 없는 상태에서도 최소 10년의 데이터 보유시간 보장
전력 손실시 데이터는 자동적으로 보호된다.
2k x 8 휘발성 SRAM 또는 EEPROM을 바로 대체할 수 있다.
무제한적인 쓰기 사이클
저전력 CMOS
JEDEC 표준 24핀 DIP 패키지
100ns의 고속 읽기 및 쓰기 액세스 시간
초기 시간 동안 전력이 인가될 때까지 리튬 에너지원은 신선도를 보장하기 위해 자동적으로 차단된다.
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