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전체 데이터 시트 (PDF, 240kB) English 다운로드 DS1200 시리얼 RAM 칩은 임의로 개별 8 비트 스트링(바이트) 또는 연속적으로 전체 1024 비트 컨텐츠(burst)에 액세스할 수 있는 초소형 읽기/쓰기 메모리이다. 마이크로프로세서에 대한 인터페이스 비용이 온칩 회로를 통해 최소화되며 단지 3개의 신호(CLK, RST-bar, DQ)로 데이터 전송을 가능하게 한다. 비휘발성을 배터리 입력 VBAT에서 2V~4V의 배터리에 연결함으로써 달성할 수 있다. 요구되는 데이터 보유 시간을 위해 외부 배터리의 크기를 측정하는데 0.5µA의 부하를 사용해야 한다. 비휘발성이 필요하지 않을 경우, VBAT 핀을 접지시켜야 한다.

주요기능		애플리케이션/용도
1024 비트 읽기/쓰기 메모리 배터리 백업 애플리케이션을 위한 낮은 데이터 보유시간 전류 4Mbps의 데이터 전송 속도 단일 바이트 또는 다중 바이트 데이터 전송 성능 무제한적인 쓰기 사이클 횟수 저전력 CMOS 회로		자동 시스템 셋업 캘리브레이터 컴퓨터 식별 안전 요원 영역 소프트웨어 인증 시스템 액세스 제어 진행 작업 기록

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