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전체 데이터 시트 (PDF, 200kB) English 다운로드 The MXD1210 nonvolatile RAM controller is a very low-power CMOS circuit that converts standard (volatile) CMOS RAM into nonvolatile memory. It also continually monitors the power supply to provide RAM write protection when power to the RAM is in a marginal (out-of-tolerance) condition. When the power supply begins to fail, the RAM is write protected, and the device switches to battery-backup mode.

주요기능		애플리케이션/용도
Battery Backup Memory Write Protection 230µA Operating-Mode Quiescent Current 2nA Backup-Mode Quiescent Current Battery Freshness Seal Optional Redundant Battery Low Forward-Voltage Drop on VCC Supply Switch 5% or 10% Power-Fail Detection Options Tests Battery Condition During Power-Up 8-Pin SO Available		µP 제어 시스템 컴퓨터: 데스크톱, 워크스테이션, 서버 임베디드 시스템

Key Specifications:  Battery Backup Circuits
Part Number	Reset Thresh. (V)	ICC (µA)	Features	Package/Pins	Smallest Available Pckg. (mm2)	Oper. Temp. (°C)	Price
		max			max w/pins		See Notes
MXD1210	3.3 to 5.5	500	Chip Enable Gate	CDIP(N)/8 PDIP(N)/8 SOIC(N)/8 SOIC(W)/16	31	-55 to +125 -40 to +85 0 to +70	$2.44 @1k
모두 보기Battery Backup Circuits (86)

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문서 레퍼런스 19-0154; 개정판 2; 2006-06-30
이 페이지는 최근에 변경됨: 2007-05-30