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범용 신뢰성 보고서
Maxim 공정 신뢰성 보고서
PR-1 (PDF, 29K)
크리티컬 애플리케이션에 이용할 플라스틱 패키지 제품에 대한 요구가 늘어나고 있어서 Maxim은 SOIC 등의 플라스틱 밀봉 패키지를 위한 높은 신뢰성을 갖는 스크리닝 플로우를 개발했다. 이 플로우로 스크리닝한 제품은 MIL-STD-833에 따라 스크리닝한 용접 밀봉 부품이 적합하지 않은 고신뢰성 애플리케이션에 이용할 수 있다. 번 인 및 스크리닝을 완벽하게 거친 SOIC는 신뢰성이 뛰어날 뿐만 아니라 귀중한 PC 기판 공간을 절약한다. 이 스크리닝 플로우는 125°C 번 인 및 -55°C~125°C 전기적 스크리닝을 비롯해서 -833 부품에 적용되는 일반적인 사항들을 다수 포함한다.
RR-1G (PDF, 89K)
Maxim 아날로그 제품에 관한 제품 신뢰성 데이터로서, 네 그룹으로 분류되었다: 표준 금속게이트 CMOS(SMG), 중간전압 금속게이트 CMOS(MV), 실리콘게이트 CMOS(SG), 바이폴라(BIP) 프로세스. 1990년~1992년.
RR-1H (PDF, 134K)
Maxim 아날로그 제품에 관한 제품 신뢰성 데이터로서, 6개 제조 프로세스로 분류되었다: (1) 표준 금속게이트 CMOS(SMG), (2) 중간전압 금속게이트 CMOS(MV), (3) 중간전압 실리콘게이트 CMOS(MV2), (4) 3µm 실리콘게이트 CMOS(SG3), (5) 5µm 실리콘게이트 CMOS(SG5), (6) 바이폴라(BIP) 프로세스. 1990년 1월~1994년 1월.
RR-1I (PDF, 132K)
Maxim 아날로그 제품에 관한 제품 신뢰성 데이터로서, 7개 제조 프로세스로 분류되었다: (1) 표준 금속게이트 CMOS(SMG), (2) 중간전압 금속게이트 CMOS(MV), (3) 중간전압 실리콘게이트 CMOS(MV2), (4) 3µm 실리콘게이트 CMOS(SG3), (5) 5µm 실리콘게이트 CMOS(SG5), (6) 1.2µm 실리콘게이트 CMOS, (7) 바이폴라(BIP) 프로세스. 1994년.
RR-1J (PDF, 147K)
Maxim 아날로그 제품에 관한 제품 신뢰성 데이터로서, 6개 제조 프로세스로 분류되었다: (1) 표준 금속게이트 CMOS(SMG), (2) 중간전압 금속게이트 CMOS(MV), (3) 중간전압 실리콘게이트 CMOS(MV2), (4) 3µm 실리콘게이트 CMOS(SG3), (5) 5µm 실리콘게이트 CMOS(SG5), (6) 바이폴라(BIP) 프로세스. 1995년.
RR-1K (PDF, 166K)
Maxim 아날로그 제품에 관한 제품 신뢰성 데이터로서, 7개 제조 프로세스로 분류되었다: (1) 표준 금속게이트 CMOS(SMG), (2) 중간전압 금속게이트 CMOS(MV1), (3) 중간전압 실리콘게이트 CMOS(MV2), (4) 3µm 실리콘게이트 CMOS(SG3), (5) 5µm 실리콘게이트 CMOS(SG5), (6) 1.2µm 실리콘게이트 CMOS, (7) 바이폴라(BIP) 프로세스. 1996년.
RR-1L (PDF, 347K)
Maxim 아날로그 제품에 관한 제품 신뢰성 데이터로서, 7개 제조 프로세스로 분류되었다: (1) 표준 금속게이트 CMOS (SMG), (2) 중간전압 금속게이트 CMOS(MV1), (3) 중간전압 실리콘게이트 CMOS(MV2), (4) 3µm 실리콘게이트 CMOS(SG3), (5) 5µm 실리콘게이트 CMOS(SG5), (6) 1.2µm 실리콘게이트 CMOS(SG1.2), (7) 바이폴라(BIP) 프로세스. 1997년~1998년.
RR-1M (PDF, 130K)
Maxim 아날로그 제품에 관한 제품 신뢰성 데이터로서, 9개 제조 프로세스로 분류되었다: (1) 표준 금속게이트 CMOS(SMG), (2) 중간전압 금속게이트 CMOS(MV1), (3) 중간전압 실리콘게이트 CMOS(MV2), (4) 3µm 실리콘게이트 CMOS (SG3), (5) 5µm 실리콘게이트 CMOS(SG5), (6) 1.2µm 실리콘게이트 CMOS(SG1.2), (7) 0.8µm 실리콘게이트 CMOS, (8) 0.6µm 실리콘게이트 CMOS, (9) 바이폴라(BIP) 프로세스. 1999년~2000년.
RR-1N (PDF, 147K)
Maxim은 아날로그 제품에 관한 신뢰성 데이터로서, 10개 제조 프로세스로 분류되었다. (1) 표준 금속게이트 CMOS (SMG), (2) 중간전압 금속게이트 CMOS (M6HV), (3) 중간전압 실리콘게이트 CMOS (S5HV), (4) 5µm 실리콘게이트 CMOS (SG5), (5) 3µm 실리콘게이트 CMOS (S3), (6) 1.2µm 실리콘게이트 CMOS (S12), (7) 0.8µm 실리콘게이트 CMOS (S8), (8) 0.6µm 실리콘게이트 CMOS (S6), (9) 80V CMOS DMOS (BCD80) 및 (10) 1.2µm BiCMOS (HV3). 2001년~2002년
RR-2B (PDF, 52K)
Maxim 표면실장 부품에 관한 신뢰성 데이터로서, 1991년 이후에 에폭시 표면실장 패키지에 대해서 실시한 포괄적 신뢰성 스트레스 테스트의 결과를 포함하고 있다.
RR-2C (PDF, 407K)
Maxim 표면실장 부품에 관한 신뢰성 데이터로서, 1995년 이후에 에폭시 표면실장 패키지에 대해서 실시한 포괄적 신뢰성 스트레스 테스트의 결과를 포함하고 있다.
RR-B1A (PDF, 89K)
Maxim 고주파 바이폴라 아날로그 및 디지털 제품에 관한 제품 신뢰성 데이터로서, 4개 제조 프로세서로 분류되었다: (1) SHPi 9.3GHz 2레이어 바이폴라, (2) GST-1 12GHz 3레이어 바이폴라, (3) GST-2 27GHz 3레이어 바이폴라, (4) 최대 5.5GHz 상보형 수직 PNP 소자를 이용한 CPi 9.3GHz 2레이어 바이폴라. 1994년 6월 1일~1995년 7월 1일.
RR-B2A (PDF, 129K)
Maxim 고주파 바이폴라 아날로그 및 디지털 제품에 관한 제품 신뢰성 데이터로서, 5개 제조 프로세스로 분류되었다: (1) SHPi 9.3GHz 2레이어 바이폴라, (2) GST-1 12GHz 3레이어 바이폴라, (3) GST-2 27GHz 3레이어 바이폴라, (4) 최대 5.5GHz 상보형 수직 PNP 소자를 이용한 CPi 9.3GHz 2레이어, (5) 최대 8.7GHz 상보형 수직 PNP 소자를 이용한 CB2 9.4GHz 2레이어. 1994년 6월 1일~1997년 1월 1일.
RR-B3A (PDF, 167K)
Maxim 고주파 바이폴라 아날로그 및 디지털 제품에 관한 제품 신뢰성 데이터로서, 5개 제조 프로세스로 분류되었다: (1) GST-1 12GHz 3레이어 바이폴라, (2) GST-2 27GHz 3레이어 바이폴라, (3) GST-3 SiGe HBT 바이폴라, (4) GST-4 SiGe HBT BiCmos, (5) 최대 5.5GHz 상보형 수직 PNP 소자를 이용한 CPi 9.3GHz 2레이어, (6) 최대 8.7GHz 상보형 수직 PNP 소자를 이용한 CB2 9.4GHz 2레이어. (7) CB3 듀얼 폴리 에미터 상보형 바이폴라, (8) MB1 듀얼 폴리 에미터. 8 micron BiCMOS. 1997년 1월 1일~2003년 1월 1일.
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