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업계 최고의 지터 성능
Maxim은 Maxim의 프로세스 엔지니어가 고안한 고성능 SiGe BiCMOS 프로세스 기술을 이용하여 업계 최고의 지터 성능을 제공합니다. Maxim 프로세스 기술의 특성은 다음과 같습니다.
- 1/f의 매우 낮은 잡음을 갖는 SiGe HBT (heterojunction bipolar transistor)
- 배랙터 내장
- High-Q 인덕터
Maxim 고유의 프로세스 기술은 Maxim 설계자가 링 (ring) 발진기 보다 지터가 현격히 낮은 LC VCO를 개발할 수 있게 해줍니다. 당사의 PLL 및 XO 설계 전문 기술로 탁월한 전원 잡음 제거(PSNR)를 구현합니다.
Maxim은 10 Gigabit Ethernet, 8.5Gbps Fibre Channel 등 고속 인터페이스에 요구되는 지터 및 전원 잡음 제거의 향상을 이뤘습니다. Maxim 지터는 잘 알려진 경쟁제품 보다 지터 성능은 2 ~ 3배, PSNR은 20dB 이상 차이가 있습니다.
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통합 위상 지터 (psRMS) |
100kHz에서 PSNR (dBc) |
| 12kHz ~ 20MHz |
637.5kHz ~ 20MHz |
1.875MHz ~ 20MHz |
| Maxim 제품의 최고 성능 |
0.28 |
0.15 |
0.12 |
-70 |
| Maxim 베스트 셀러 |
0.36 |
0.2 |
0.14 |
-57 |
| 주요 경쟁제품 |
0.83 |
0.5 |
0.4 |
-32 |
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