| V |
See Volt
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| V+ |
See Vcc
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| V- |
See Vcc
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V-s
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볼트-초(Volt-second) |
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V/F
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전압 대 주파수(Voltage-to-frequency) |
| VA |
See W
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| Vacuum Fluorescent Display |
See VFD
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| Vbb |
See Vcc
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Vcc
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회로의 전원 전압은 흔히 V + 겹글자 접미사로 표시된다. 겹글자는 일반적으로 전원에 연결되는 트랜지스터의 리드와 관련이 있거나 해당 전원에 연결되는 저항과 관련이 있다.
예: VCC는 (+) 전원 전압이며 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 단자는 VCC 전원에 또는 VCC에 연결되는 부하에 연결된다. VSS는 FET 등의 소스 단자 등에 연결된다.
V+ 와 V-는 또한 전원 전압을 나타내는 일반적인 방법이다.
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| VCIS |
See Transconductance Amplifier
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VCO
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전압 제어형 발진기(Voltage-Controlled Oscillator). 출력 주파수가 입력 전압에 비례하는 발진기 장치 |
| VCOs |
See VCO
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VCSEL
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수직 공진 표면광 레이저(Vertical cavity-surface emitting laser) |
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VCTCXO
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전압 제어 및 온도 보상 크리스털 발진기(Voltage Controlled, Temperature Compensated Crystal Oscillator). TCXO는 아날로그 전압으로 발진 주파수를 제어할 수 있다. |
| VCTXO |
See VCTCXO
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VCXO
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전압 제어형 크리스털 발진기(Voltage Controlled Crystal Oscillator). 크리스털을 사용하여 주파수를 설정하지만 아날로그 제어 전압의 변화에 따라 그 주파수가 변하는 발진기. |
| Vdd |
See Vcc
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VDSL
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초고속 디지털 가입자회선(Very High Data-Rate Digital Subscriber Line): 음성 전화회선에 사용되는 표준 트위스트 페어 상에서 고속 디지털 서비스를 제공하는 방식. VDSH는 12.9Mbps ~ 52.8Mbps의 데이터 속도로 동작한다. |
| Vee |
See Vcc
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| VERSAbus |
See VME
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| VERSAbus-E |
See VME
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| VERSAmodule Europe |
See VME
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| VERSAmodule Eurocard |
See VME
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| VERSAmodule European |
See VME
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| Vertical Standing Wave Ratio |
See VSWR
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| Very High Data-Rate Digital Subscriber Line |
See VDSL
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| Very large-scale integration |
See VLSI
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VFD
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진공 형광 디스플레이(Vacuum Fluorescent Display). |
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VFO
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가변 주파수 발진기(Variable-frequency oscillator). |
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VGA
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가변 이득 증폭기(Variable-gain amplifier) |
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VLF
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초저 주파수(Very-low frequency) |
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VLIF
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초저 중간 주파수(Very-low intermediate frequency) |
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VLSI
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VLSI(Very large-scale integration)는 하나의 칩에 수많은 디바이스를 내장한 집적회로(IC)나 기술을 지칭한다. 물론, 문제는 "수많은" 것을 어떻게 정의하는가 이다.
이 용어는 1970년대 "SSI" (small-scale integration), "LSI" (large-scale) 및 기타 다른 용어들과 함께 생겨났으며, IC 당 트랜지스터나 게이트 수로 규정된다. 이 용어는 시간이 흐르면서 기술 진보가 숫자적 정의를 의미 없게 만들기 때문에 약간은 무의미할 수도 있겠다. 또 이 용어는 산업별로 다른 의미를 갖는다. VSLI 아날로그 부품은 VLSI 디지털 로직 부품이나 VLSI 메모리 부품과 상당히 다르다.
결국, 전문가들은 "ULSI" (ultra-large-scale)와 같은 용어를 사용하기 시작했다. 한편, 엔지니어들은 이 모든 것을 무시하고 신조어를 만드는 대신 향상된 디바이스를 설계하는 데 시간을 할애해 왔다.
LSI와 VLSI는 현재 일반적인 용어로 사용되고 있으며, 주관적으로 카테고리상 일반적인 제품보다 더욱 많은 디바이스를 갖춘 제품이나 기술을 말한다. Maxim/Dallas Semiconductor는 아날로그와 혼합 신호(Mixed-signal)의 복잡도가 증가하는 기술 흐름을 주시하고 있다. 많은 Maxim/Dallas 부품들은 보통의 아날로그 부품보다 몇 배 더 많은 디바이스를 내장하면서 복잡한 제어(예, MAXQ 마이크로컨트롤러 코어와 같은) 기능을 갖고 있다. |
| VMBus |
See VME
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VME
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VERSAmoudle Eurocard 또는 VMEBus: 마이크로 컴퓨터 버스. IEC 821, IEEE 1014-1987 및 ANSI/VITA 1-1994에서 표준화되었다. |
| VMEBus |
See VME
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| Voice over IP |
See VoIP
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VoIP
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VoIP(Voice over Internet Protocol): 인터넷을 통해 음성 (또는 팩스) 정보를 전달하는 방법. |
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Volt
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볼트: 기전력 (EMF), 즉 두 점 간 전위를 측정하는 단위. 1볼트 전위는 1ohm 저항성 부하를 통해 1암페어의 전류가 흐를 수 있다.
수도관에 비유하면 전압은 수압과 같고 전류는 수량 (즉, 분 당 리터)과 같다.
등식에서는 기호 E가 주로 사용되며(예: E = IR), V는 측정 단위인 볼트를 나타내는 기호이다. |
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Volt-Ampere
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볼트암페어(VA)는 전기 부하를 공급하는 전력과 전류의 곱으로 킬로볼트암페어(kVA)는 1000볼트암페어이다.
전력은 각 인스턴스에서 측정된 전압과 전류를 곱한 와트(W)로 측정된다. 직류 시스템이나 저항 부하의 경우 와트수와 VA 측정값이 동일하지만, 무효 부하의 경우 전압 및 전류는 역위상이되고 볼트암페어 스펙이 와트수보다 커진다.
전력을 측정할 때에는 와트가 적절하고, 구동 회로(회로 차단기, 와이어링, ups 등)의 전기 용량을 측정할 때에는 VA가 적합하다. |
| voltage |
See Volt
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| Voltage Controlled Crystal Oscillator |
See VCXO
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| voltage controlled current source |
See Transconductance Amplifier
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| Voltage Controlled Oscillator |
See VCO
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| Voltage Controlled Temperature Compensated Crystal Oscillator |
See VCTCXO
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| Voltage Doubler |
See Charge Pump
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Voltage Margining
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출력 전압을 공칭 전압보다 높거나 낮게 설정하여 출력 전압이 모든 부하조건에서 규격 내에 있도록 한다. |
| Voltage Output Temperature Sensor |
See PWM Temperature Sensor
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Voltage Regulator
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전원과 부하 사이에 연결된 회로. 입력 전압 또는 출력 부하가 변해도 고정 전압을 제공한다. |
| Voltage Regulator Module |
See VRM
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| Voltage Standing Wave Ratio |
See VSWR
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| Voltage Temperature Sensor |
See Analog Temperature Sensor
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| Voltage Tripler |
See Charge Pump
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| Voltage-Controlled Oscillator |
See VCO
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VOM
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볼트-옴 측정기(Volt-Ohm meter) |
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Vp-p
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최대치 전압(Peak-to-peak voltage). |
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VRD
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Voltage Regulator Down: 마더보드 상에서 "down"인 전압 레귤레이터에 대한 인텔 표준. |
| VRD10 |
See VRD
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| VRD10.1 |
See VRD
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| VRD10.2 |
See VRD
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| VRD10.X |
See VRD
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VRM
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전압 레귤레이터 모듈(Voltage Regulator Module): 스위칭 레귤레이터 모듈에 대한 Intel 표준. |
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VS
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VCO_SEL (제어 비트) |
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VSIA
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가상 소켓 인터페이스 제휴(Virtual Socket Interface Alliance) |
| Vss |
See Vcc
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VSWR
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VSWR(전압 정재파 비 또는 드물게 수직 정재파 비)는 무선 주파수 전력이 전송 라인을 통해 전원으로부터 부하로 (예를 들어, 전송 라인을 통해 전력 증폭기로부터 안테나로) 얼마나 효율적으로 전달되는가를 나타내는 지표.
이상적인 시스템에서 에너지는 100% 전달된다. 이것이 가능하려면 소스 임피던스, 전송 라인과 모든 커넥터의 특성 임피던스와 부하 임피던스 간의 완벽한 정합이 요구된다. 이러한 경우 신호의 AC 전압은 간섭 없이 통과하므로 처음부터 끝까지 동일하다.
실제 시스템에서 부정합 임피던스는 에코처럼 전력의 일부가 반사되어 소스로 다시 보내지게 된다. 이러한 반사는 상쇄 간섭(destructive interference)을 발생시켜 라인의 다양한 시점과 거리에서 전압의 마루(peak)와 골(valley)을 형성한다.
VSWR은 이러한 전압 차이를 측정한다. VSWR은 전송 라인에서 최대 전압과 최소 전압의 비율을 의미한다. 전압은 이상적인 시스템에서는 달라지지 않으므로, 이 때 VSWR은 1:1이다. 반사가 발생하는 경우에는 전압이 달라지고 VSWR은 높아져서 1.2:1 또는 2:1 등으로 표현된다.
이를 수학적으로 표현하면 아래와 같다.
VSWR은 전송 라인에서 신호의 전압 비이다.
VSWR = |V(max)| / |V(min)|
여기서 V(max)는 라인에 흐르는 신호의 최대 전압이며, V(min)는 라인에 흐르는 최소 전압이다.
VSWR은 임피던스로부터 아래와 같은 수식으로 표현되기도 한다.
VSWR = (1+ )/(1-)
여기서 감마(gamma)는 부하 임피던스(ZL)와 소스 임피던스(Zo)로부터 유도된 부하에 인접한 전압 반사 계수를 말한다.
= (ZL-Zo)/(ZL+Zo)
부하와 전송 라인이 정합되면, = 0 및 VSWR = 1:1. |
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VU
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볼륨 단위(Volume unit). |
