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공정 기술 및 웨이퍼 팹
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SiGe 바이폴라/BiCMOS
| 혁신적인 공정 특성 |
- 업계에서 가장 풍부한 고성능 SiGe 바이폴라 및 수동 소자 제품군을 제공하고 있어, 하나의 칩에 구현되는 전체 RF 트랜시버와 같이, 다중 GHz 주파수에서 완벽한 블록 다어어그램 통합이 가능합니다.
- 수동 소자는 수퍼 high-Q 인덕터와 하이 튜닝 비 (high-tuning ratio) 배랙터와 같은 RF에 최적화할 수 있어 최저 위상 잡음을 제공합니다.
- 박막 저항은 레이저 트리밍 가능하므로 많은 규격에서 보다 우수한 오프셋 정합, 좁은 VCO 중앙 주파수, 우수한 S22와 같은 정밀한 배치가 가능합니다.
- SOI(Silicon-on-Insulator)는 고속 회로에서 상승 시간을 더욱 빠르게 하고 회로 래치업 문제를 없애줍니다.
- Maxim의 자체 팹은 CMOS 가격으로 실리콘 게르마늄 (Silicon-Germanium) 성능을 제공합니다.
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| 애플리케이션 |
- 클록
- 이퀄라이저
- 레이저 드라이버
- 트랜스임피던스 증폭기
- 리미팅 앰프
- 무선 트랜시버
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