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BCDMOS
| 혁신적인 공정 특성 |
- 초고전압, 소형 트랜지스터는 최대 250V 항복전압 제공
- 낮은 온 저항(80V에서 단 0.6 ohm-mm*2)으로 여러 개의 낮은 저항성 (resistivity) 전원 FET 통합 가능
- 이중 금속 레이어가 최대 10A 전류 지원
- 실리콘에 박막 및 폴리 간 (poly-poly) 캡이 결합되어 있어 고전력 소자는 물론 고정밀 기준전압과 같은 고성능 아날로그 기능 통합 가능
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| 애플리케이션 |
- 고전력 변환
- 텔레콤, 데이터콤, 자동차 전원
- 컴퓨팅 전원
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